{"subject":"【奈米製程領域】介電材料活性離子蝕刻系統 (A) / SEMI002500","detailContent":"
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\"介電材料活性離子蝕刻系統
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奈米中心介紹頁連結
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\r\n儀器資訊
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  1. 廠牌型號：日本SamCo公司製造 RIE-400iP。
    2. \r\n\t
  2. 購置年限：2019年3月4日。
    3. \r\n\t
  3. 放置地點：光復校區 固態電子系統大樓 1樓121實驗室  (TEL：55610)。   
    4. \r\n\t
  4. 功能：乾式蝕刻，蝕刻碳化矽(SiC)為主，特殊時機可以蝕刻介電質(SiO2、Si3N4)材料，4″ wafer為主。
    5. \r\n\t
  5. 重要規格：本蝕刻系統可通入C4F8、O2、SF6、CHF3等氣體蝕刻碳化矽(SiC)及介電質(SiO2、Si3N4)。
    6. \r\n\t
  6. 儀器可使用之特殊製程材料。
    7. \r\n
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","page2Title":"注意事項","page2":"
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注意事項
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  1. 材料限制：\r\n\t
      \r\n\t\t
    1. 限碳化矽(SiC)基板與Si基板。
      2. \r\n\t\t
    2. 試片上不得有摻雜金屬元素或鍍有金屬薄膜。
      3. \r\n\t\t
    3. 試片不得經過後段製程機台。
      4. \r\n\t
    \r\n\t
    2. \r\n\t
  2. 請詳細說明基板上含何種物質(如Poly-Si、SiO2、Si3N4、光阻等)，以及是否要清洗晶片。
    3. \r\n\t
  3. 蝕刻若無特別要求，一律按中心標準製程參數為之。
    4. \r\n
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","page3Title":"自行操作規定","page3":"
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自行操作儀器
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  1. 取得儀器使用權限說明：\r\n\t\r\n\t
    2. \r\n\t
  2. 儀器開放等級及人數。
    3. \r\n\t
  3. 有儀器使用權限後，需登入下列系統取得序號並預約使用：\r\n\t
      \r\n\t\t
    • (1).國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統 (取得序號)
      • \r\n\t\t
    • (2).奈米中心儀器預約系統 (使用時段預約)
      • \r\n\t
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    4. \r\n
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","page4Title":"委託操作規定","page4":"
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委託操作儀器
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    \r\n\t
  1. 有國科會計畫者，請先至國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統預約並取得預約編號，再下載RIE-400iP委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
    2. \r\n\t
  2. 無國科會計畫者，請直接下載RIE-400iP委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
    3. \r\n
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","page5Title":"收費標準","page5":"
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收費資訊
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    \r\n\t
  1. 有國科會計畫者依計畫付費標準計價，無國科會計畫者依非計畫付費標準計價。
    2. \r\n\t
  2. 收費方式\r\n\t
      \r\n\t\t
    • 自行操作：收取使用費
      • \r\n\t\t
    • 委託操作：收取使用費+代工費
      • \r\n\t
    \r\n\t
    3. \r\n\t
  3. 費用查詢連結：https://vir.nstc.gov.tw/VI_SearchResult?item=1
    4. \r\n
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