{"subject":"【奈米製程領域】導電性材料活性離子蝕刻機_高密度活性離子蝕刻系統 / SEMI001100","detailContent":"
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\"高密度活性離子蝕刻系統\"
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奈米中心介紹頁連結
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\r\n儀器資訊
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  1. 廠牌型號：慶康科技
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  2. 購置年限：1999年3月
    3. \r\n\t
  3. 放置地點：光復校區 固態電子系統大樓 1樓116實驗室   (TEL：55666) 
    4. \r\n\t
  4. 功能：乾式蝕刻，以蝕刻Al材料為主
    5. \r\n\t
  5. 重要規格：使用氣體包含BCl3、Cl2、CF4、CHF3、Ar、O2、SF6，ICP RF最大功率900W，Bias RF最大功率300W，以He gas系統冷卻，4″ wafer為主
    6. \r\n\t
  6. 儀器可使用之特殊製程材料。
    7. \r\n
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","page2Title":"注意事項","page2":"
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注意事項
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  1. 請詳細說明基底晶片材質，其上含何種物質 (如SiO2、光阻等) 以及是否要清洗晶片。
    2. \r\n\t
  2. 蝕刻若無特別要求，一律按中心標準製程為之。
    3. \r\n
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","page3Title":"自行操作規定","page3":"
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自行操作儀器
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  1. 取得儀器使用權限說明：\r\n\t\r\n\t
    2. \r\n\t
  2. 儀器開放等級及人數。
    3. \r\n\t
  3. 有儀器使用權限後，需登入下列系統取得序號並預約使用：\r\n\t\r\n\t
    4. \r\n
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","page4Title":"委託操作規定","page4":"
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委託操作儀器
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  1. 有國科會計畫者，請先至國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統預約並取得預約編號，再下載HDP-RIE委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
    2. \r\n\t
  2. 無國科會計畫者，請直接下載HDP-RIE委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
    3. \r\n
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","page5Title":"收費標準","page5":"
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收費資訊
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  1. 有國科會計畫者依計畫付費標準計價，無國科會計畫者依非計畫付費標準計價。
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  2. 收費方式\r\n\t
      \r\n\t\t
    • 自行操作：收取使用費
      • \r\n\t\t
    • 委託操作：收取使用費+代工費
      • \r\n\t
    \r\n\t
    3. \r\n\t
  3. 費用查詢連結：https://vir.nstc.gov.tw/VI_SearchResult?item=1
    4. \r\n
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