基礎服務-奈米製程領域
- 更新日期:113-05-21
- 發布單位:儀器資源中心
【奈米製程領域】三五族分子束磊晶系統
![三五族分子束磊晶系統](/userfiles/ordch/images/20231020152118322.jpg)
- III-V MOLECULAR BEAM EPITAXY SYSTEM
- 廠牌型號:Veeco Modular GEN II solid source III-V MBE
- 儀器專家:林聖迪 教授
- 分機 31240
- 信箱 sdlin@mail.nctu.edu.tw
- 儀器諮詢與操作服務:吳儲君 小姐
- 分機 54248、55665
- 信箱 isabelwu@nycu.edu.tw
- 儀器位置:光復校區 固態電子系統大樓1樓R110室
儀器資訊
重要規格
- 中文名稱:三五族分子束磊晶系統
- 英文名稱:III-V Molecular Beam Epitaxy System
- 英文簡稱:MBE
- 廠牌:Veeco Modular GEN II solid source III-V MBE
- 儀器地點:光復校區 固態電子系統大樓R110實驗室
- 購置日期:2004年8月
- 加入貴儀日期:2015年1月
重要規格
- High Vacuum Growth chamber:Pressure < 5×10-10 torr
- Source Material:Ga、Al、In、As、Sb.
- Doping Source :Be、Si、Te
- Max substrate Size:3 inch
- Epitaxy Layer thickness Variation < 5%
- The highest growth temperature: 640℃
- In-situ rsidual gas analysis (RGA) and reflection high energy electron diffraction (RHEED, 15kV):
- Regular monitoring epitaxy layer growth rate and quality.
服務項目
- 本系統為超高真空系統,原則上不開放自行操作,但可現場陪同。
- 本系統服務每一片晶片以6小時為1單元。
- 申請使用者須和儀器負責教授或技術員接洽,以確定樣品符合需求。
- 每人每次最多預約5個樣品。
- 取消預約須於一週前告知。
系統開放等級
目前只開放委託服務,由本實驗室技術人員操作。
開放時段:本機台採取委託預約有需要請上貴儀系統預約。
服務項目 | 收費標準(單位:NTD) |
---|---|
砷化物樣品委託 | 計畫預約:$4,000 /1µm 非計畫預約:$15,000 /1µm |
銻化物樣品委託 | 計畫預約:$5,000 /1µm 非計畫預約:$25,000 /1µm |
特殊結構測試費用 | 依據結構難度額外加收 2-6µm不等之校正費用 |
基板費用 | GaAs 系列:$7,000 /單片 GaSb 系列:$25,000 /單片 InP 系列:$9,000 /單片 |
- 此收費標準係以樣品成長厚度在1微米計算。超過1微米以上部份,若不足1微米則以1微米 計算。
- 為維持本系統穩定性與超高真空條件,恕不接受委託者自行提供基板之要求;一律由本單位統一提供長晶基板。
- 另有特殊要求請先mail或來電討論。
- 若需長期委託服務者,可提供長期專案優惠。
- 本單位另可協助評估結構可行性與成長建議之諮詢服務。
管理辦法及試片限制
- 能夠成長的基板為GaAs、InP、InAs、GaSb、InSb。
- 委託操作者在繳交預約單後,必須聯絡技術員確定實驗時間與成長內容。
儀器預約辦法
- 儀器預約﹝enter﹞
- 欲取消預約請在一周前,聯絡技術員並自行上網取消。
- 預約申請單繳交,請拍照或掃描傳送至技術員信箱
相關圖片: