基礎服務-奈米製程領域
EN- 更新日期：113-06-12
- 發布單位：儀器資源中心
【奈米製程領域】介電材料活性離子蝕刻系統 (B)
- Dielectric Materials Reactive Ion Etching System, RIE 200L
- 廠牌型號：日本SamCo公司製造 RIE200L
- 儀器專家：崔秉鉞 教授
- 分機 31570
- 儀器設備管理人員：胡進章 先生
- 分機 55607、55666
- 信箱 jackhu@nycu.edu.tw
- 儀器設備管理人員：李正維 先生
- 分機 55660、55666
- 信箱 cwlee@nycu.edu.tw
- 儀器位置：光復校區 固態電子系統大樓 1樓116實驗室
- 分機 55666
注意事項
- 請詳細說明基板其上含何種物質(如SiO2、Si3N4、Metal、光阻等)。
- 蝕刻若無特別要求，一律按中心標準製程為之：
- (1).SiOx : (RIE mode) 300 ~400 Å/min 100W,4Pa.
- (2).SiNx : (RIE mode) 900~1000 Å/min 100W,4Pa.
- 晶片上不得有Ag, Au, Cu, Fe, Ni, Zn, LiNbO3, In, Pb, Sn, ITO等成份。
- 金屬不得露出。
自行操作儀器
- 取得儀器使用權限說明：
- (1).白天權限申請流程說明 (使用權限為星期一至五8:00~17:00)
- (2).24小時申請流程說明 (需有白天權限才可申請)
- (3).注意事項 (務必詳讀，以免損失自身權益)
- (4).RIE 200L儀器操作規範&考核記錄表
- 儀器開放等級及人數。
- 有儀器使用權限後，需登入下列系統取得序號並預約使用：
- (1).國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統 (取得序號)
- (2).奈米中心儀器預約系統 (使用時段預約)
委託操作儀器
- 有國科會計畫者，請先至國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統預約並取得預約編號，再下載RIE 200L委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
- 無國科會計畫者，請直接下載RIE 200L委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
收費資訊
- 有國科會計畫者依計畫付費標準計價，無國科會計畫者依非計畫付費標準計價。
- 收費方式
- 自行操作：收取使用費
- 委託操作：收取使用費+代工費
- 費用查詢連結
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